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• 宏空科技推出通用NVRAM－HK1285非易失性存储器

  HK1285在WE（写使能）被禁止（high）且CE（片选）被选中（Low）并且OE（读信号）被使能（Low）执行一次读循环。

  反馈：0浏览：2209发布时间：2013-06-24

• 宏空科技推出通用NVRAM－HK1235非易失性存储器

  HK1235在WE（写使能）被禁止（high）且CE（片选）被选中（Low）并且OE（读信号）被使能（Low）执行一次读循环。15个地址输入线（A0-A14）指定的唯一的地址定义将要被访问。

  反馈：0浏览：1953发布时间：2013-06-24

• 宏空科技推出带软件锁NVRAM－OKS1225

  带软件口令的非易失性存储器OKS1225在引脚排列上与普通SRAM，　　EEPROM及通用NVRAM无异，只是它在通用NVRAM即由锂电池及抗干扰电路和SRAM组成的基础上在写信号上增加了软件锁功能。

  反馈：0浏览：1965发布时间：2013-05-23

• 宏空科技推出CRAM梦幻磁介质存储器

  HK-CRAM系列梦幻磁介质存储器是一场非易失性存储器的革命，是对于非易失存储器依赖于电池的突破，是对于FLASH存储器读写次数限制及页面编程擦写模式限制的突破。

  反馈：0浏览：2543发布时间：2013-04-28