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富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

提供业界最低读取电流的内存,适用于穿戴式装置与助听器


上海,2016年11月8日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。


ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍。


此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。



 


截至目前为止,富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后,富士通可进一步扩充产品系列,以满足客户多样化的需求。


MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作,还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率,并在读取时仅需极低的工作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外,该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。


此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。


富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备,以及量表与传感器等物联网设备。


富士通预期未来持续提供各种产品与解决方案,以协助客户提升其应用的价值与便利性。


产品规格

组件料号:MB85AS4MT

内存密度(组态):4 Mbit(512K字符x 8位)

界面:SPI(Serial peripheral interface)

工作电压:1.65 – 3.6V

低功耗:读入工作电流0.2mA(于5MHz)

写入工作电流1.3mA(写入周期间)

待机电流10µA

休眠电流2µA

保证写入周期:120万次

保证读取周期:无限

写入周期(256 位/页):16毫秒(100%数据倒置)

数据保留:10年(最高摄氏85度)

封装:209mil 8-pin SOP


词汇与备注

1. 可变电阻式内存(ReRAM):

为非易失性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。

2. 松下电器半导体:

〒617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地。网址:http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/


相关链接:

富士通电子网站

4Mbit ReRAM产品网站

4Mbit ReRAM“MB85AS4MT”数据表


- 完 -



媒体联系

富士通电子元器件(上海)有限公司

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企业策划及市场营销

电话:86 21-6146 3688,fss.marcom@cn.fujitsu.com


仁治时代公关

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关于富士通电子元器件(上海)有限公司

富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。

富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs),代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器,GaN(氮化镓),MCU和电源功率器件等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。欲了解更多信息,请访问网站:http://www.fujitsu.com/cn/fes/


文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。


发布时间:2016年11月8日 9:44 人气: 审核编辑:郑益文

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