Innodisk丨宜鼎国际 DRAM 产品概览

INNODISK DRAM 产品

核心优势

●定制化服务

宜鼎提供硬件定制服务，以满足各类应用的特定需求。

●加固夹扣

采用坚固的PANLITE® PC材料制成，可牢固卡扣在DRAM插槽两侧，显著提升模组的结构稳定性与抗冲击能力。

●散热片

DRAM模组附加组件，通过被动散热可将模组温度降低4%至5%。

●三防涂层

三防涂层在元器件表面涂覆一层化学保护材料，有效抵御湿气、污染物、粉尘以及酸碱腐蚀。涂层厚度控制在0.03 mm至0.13 mm之间，符合IPC-A-610电子组件标准。

●宽温 / 极宽温支持

宜鼎宽温/极宽温DRAM模组专为极端环境条件设计。宽温系列工作温度范围为-40°C至95°C，极宽温系列则支持-40°C至125°C，并采用30µ"/45µ"金手指以确保高可靠性与稳定性能。

●抗硫化处理

通过在电阻表面覆盖抗硫化材料，有效防止硫化腐蚀，保障产品在恶劣工业环境下的长期稳定运行。该特性已全面应用于宜鼎所有DDR4及DDR5内存模组。

●侧边填充

侧边填充技术可显著提升设备在强震动或严苛温度循环环境下的可靠性，并延长产品使用寿命。该工艺在内存芯片（DRAM IC）的三个侧面注入树脂，对BGA焊点与PCB连接处进行加固，使模块可承受高达1.5倍的机械应力。

●保修政策

宜鼎DRAM产品提供终身质保，涵盖检测、维修及部件更换服务。

DRAM产品系列

     宜鼎工业级DRAM产品系列涵盖DDR5、DDR4、DDR3、DDR2、DDR1及SDRAM，是专为嵌入式系统与服务器应用设计开发，提供高品质、一站式的完整解决方案。全系列产品均标配质保，并可选配多项增值服务，包括三防涂层（Conformal Coating）、宽温/超宽温支持、加固结构设计（Rugged Design）以及侧边填充（Side Fill）等，满足多样化的定制化需求。

DRAM SERIES

Registered DIMM

适用于服务器与AIOT应用场景

• 容量：2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB / 64GB

• 代际：DDR3 / DDR4 / DDR5

• 速率：1333 / 1600 / 1866 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

DRAM SERIES

Mini DIMM

适用于服务器应用

• 容量：2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

• 代际：DDR3 / DDR4• 速率：1600 / 2133 / 2400 / 2666 MT/s

• 功能特性：支持 Registered（寄存式）与 ECC（错误校正码）

DRAM SERIES

VLP系列

适用于服务器、AIoT 及工业应用场景

• 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

• 代际：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

• 速率：1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 MT/s

• 封装形态：SODIMM、UDIMM、RDIMM

• 功能特性：支持 Registered（寄存式）、ECC（错误校正码）及非 ECC（non-ECC）配置

DRAM SERIES

Mounting Rugged SODIMM

适用于高振动、高冲击等严苛环境

• 容量：4GB / 8GB / 16GB

• 代际：DDR4

• 速率：2133 / 2400 / 2666 MT/s

• 结构特性：支持定制化安装孔位，便于牢固固定于设备主板

• 功能特性：可选配 ECC（错误校正码）或非 ECC（non-ECC）版本

DRAM SERIES

宽温系列

适用于严苛环境下加固型、工业及服务器应用

• 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

• 代际：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

• 速率：533 / 667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 MT/s

• 工作温度范围（Tc）：-40°C 至 95°C

• 功能特性：支持 Registered（寄存式）、ECC（错误校正码）及非 ECC（non-ECC）配置

DRAM SERIES

极宽温系列

适用于 AIoT 与工业级严苛环境应用

• 容量：8GB / 16GB / 32GB

• 代际：DDR4 / DDR5

• 速率：2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 MT/s

• 工作温度范围（Tc）：-40°C 至 105°C / 125°C（依具体型号而定）

• 功能特性：可选配 ECC（错误校正码）或非 ECC（non-ECC）版本

DRAM SERIES

ECC系列

适用于 AIoT 与工业级应用场景

• 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 24GB / 32GB / 48GB

• 代际：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

• 速率：667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

• 功能特性：标配 ECC（错误校正码）

DRAM SERIES

Non-ECC系列

适用于对成本敏感或无需错误校正功能的AIoT 与工业应用场景

• 容量：128MB / 256MB / 512MB / 1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 24GB / 32GB / 48GB

• 代际：SDRAM / DDR1 / DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

• 速率：100 / 133 / 333 / 400 / 533 / 667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

• 功能特性：非 ECC（non-ECC）设计，适用于对内存成本与功耗有优化需求、且无需硬件级错误校正的系统环境

DRAM SERIES

MRDIMM

适用于 AI 服务器、高性能计算（HPC）及云计算等高带宽、高密度应用场景

• 单条容量：最高可达 128GB

• 内存代际：DDR5• 传输速率：8800 MT/s

• 模块尺寸：133.35 mm × 31.25 mm（与 RDIMM 尺寸一致，兼容现有插槽）

• 工作温度范围（Tc）：0°C 至 95°C

DRAM SERIES

CXL内存模组

适用于高密度数据中心计算场景，通过 CXL 技术实现内存池化与高效扩展

• 单模块容量：64GB

• 内存代际：DDR5

• 带宽：31.5 GB/s• 封装形态：E3.S 2T

• CXL 协议兼容性：支持 CXL 1.1 与 CXL 2.0

• CXL 类型：Type 3（支持 CXL.mem 内存语义与 CXL.io I/O 功能）

• 接口标准：PCIe Gen5 x8

• 连接器类型：EDSFF 2C（84 针）

• 工作温度范围：0°C 至 70°C

DRAM SERIES

LPDDR5X CAMM2内存模组

适用于 AI 笔记本电脑、便携式设备及有加固需求的移动应用场景

• 单条容量：最高可达 64GB

• 内存类型：LPDDR5X

• 传输速率：8533 MT/s

• 封装形态：CAMM2

• 工作温度范围（Tc）：0°C 至 85°C

DRAM SERIES

DDR5 CAMM2

适用于加固型边缘计算设备、AI 训练及 AI 推理系统

• 单条容量：最高可达 48GB

• 内存代际：DDR5• 传输速率：6400 MT/s

• 封装形态：CAMM2

• 工作温度范围（Tc）：0°C 至 95°C

JEDEC标准模组尺寸

DRAM垂直应用市场