Innodisk丨白皮书：工业级内存宽温定义规范

执行摘要

     宽温 DRAM 模组可在 −40 °C 至 85 °C 的工业级温度范围内稳定工作，专为车载、工厂自动化、网络通信、户外自助终端以及安防与军工等严苛环境应用而设计。

     本规范以 JEDEC 对 DRAM 集成电路（IC）的宽温要求为依据，其中 JEDEC Standard 21C 对标准 DRAM 模组的技术指标进行了系统阐述。该标准明确了宽温 DRAM 的基础参数，并结合测试方法与质量控制体系，为工业级宽温内存的设计与验证提供了规范指引。

引言

     内存是任何规模、任何应用场景计算设备的核心部件。因此，所有边缘设备都必须具备应对环境所带来的热应力及物理冲击的能力。

     随着越来越多的算力被部署至边缘端以降低延迟并提升系统效率，这一诉求变得尤为迫切。这意味着，原本集中于恒温机房内的设备，如今被直接安放于数据产生的现场：工厂产线、繁忙路口、船舶甲板乃至航空机舱。这些场景的共同挑战之一，便是大幅且频繁的温度波动。

     温度波动可能源于自然周期，但气候变化同样不可忽视——在许多地区，它将导致天气更不稳定、变化更难以预测，进而对已建或在建的系统构成潜在影响。

     本白皮书将系统阐述 DRAM 宽温规格的背景、适用场景及测试验证流程，为工业级宽温存储器的设计与选型提供参考。

背景

    “工业级宽温”通常指 −40 °C 至 85 °C 的工作温度区间。宜鼎国际（Innodisk）以此区间为基准，并依据 JEDEC 规范进行扩展，以契合工业现场的实际需求。

JEDEC

     JEDEC 固态技术协会是微电子行业开放标准的制定机构，其规范由制造商与供应链伙伴紧密协作完成，并在全球范围内广泛应用。

• 标准温度 DRAM：适用 JEDEC Standard 21C。

• 宽温 DRAM：针对不同 DRAM 类型设有独立标准，详尽规定了制造要求及模组测试方法，为工业级宽温存储器的设计与验证提供权威依据

应用挑战

     物联网与边缘计算的快速演进，推动更多设备与算力被部署于环境极端的工况中——既包括酷热与严寒并存的地域，也涵盖易受气候变化影响的区域。

     以户外场景为例，设备需经历昼夜循环带来的持续升降温，以及季节更迭造成的长期温度起伏；同时，这些安装点位往往难以触及，维护成本与时间投入显著增加。因此，运行于此类环境的系统必须选用能够长期耐受严苛温度、且维护需求极低的存储模组。

解决方案

● JEDEC 标准

JEDEC 标准分别对 DRAM 模组整体及 DRAM 集成电路（IC）的温度范围做出规定。宜鼎严格遵循该规范，并明确模组最大壳温（TC）不得超过 IC 规格限定值。

● 模组级环境温度（TA）

JEDEC 定义：0 °C ≤ TA ≤ 55 °C

● IC 壳温（TC）

实际运行中，IC 壳温必然高于环境温度，其值为 TA 与芯片自发热之和。

JEDEC 定义：0 °C ≤ TC ≤ 85 °C

宜鼎在此基础上将工业级宽温规格向低温端扩展，形成如下宽温区间：

40 °C ≤ TA ≤ 85 °C

该区间确保模组在远超 JEDEC 标准的高低温环境中稳定运行（因 TC 始终 ≥ TA）。

测试与质量控制

为验证宽温能力、可靠性及产品质量，模组须通过如下标准化测试流程。

图 1：宽温测试流程

结论

     通过上述流程验证的模组，即获得在宽温环境中长期可靠运行的资质。

     宽温规格是确保设备在安防监控、车载、工厂自动化、网络通信及关键任务等严苛场景下存活的核心要素。随着算力持续下沉至现场，具备稳健性的物联网终端对长寿命与低维护的要求日益提升，宽温内存的市场需求亦将同步增长。

     宽温仅为应对严酷环境的综合手段之一。与抗硫化、涂层、侧边填充及散热片等技术协同部署，可帮助用户针对具体应用场景定制最匹配的存储解决方案。

宜鼎宽温DDR4/DDR3/DDR2 DRAM系列

** DDR4 WT RDIMM VLP型号：4GB容量仅支持2133MT/s与2400MT/s速率