【产品速递】华屹SiC衬底和外延AOI检测设备： 赋能第三代半导体质量控制升级
在 “双碳” 目标与高端制造升级的双重驱动下，第三代半导体成为全球科技竞争的核心赛道。碳化硅（SiC）凭借远超硅基材料的电学性能，在新能源汽车功率模块、光伏逆变器、5G 基站射频器件等领域实现规模化应用。
然而，SiC 材料制备涉及高温升华、精密抛光、外延生长等复杂工艺，极易产生多类型缺陷，且缺陷尺寸已进入纳米级范畴。传统检测手段难以兼顾 “全缺陷覆盖、高精度检出、大尺寸兼容”三大核心需求，成为制约 SiC 产业规模化量产的关键瓶颈。
行业挑战
当前 SiC 衬底与外延片检测领域面临多重技术瓶颈：
缺陷多样性与复杂性：SiC 缺陷类型涵盖微管、层错、位错等晶体缺陷，以及划痕、小坑、台阶聚集等表面缺陷，不同缺陷的形态、尺寸差异大，传统单一检测手段难以全面覆盖；
检测灵敏度要求高：随着 SiC 器件向高功率、小尺寸方向发展，对 80nm 级以下微小缺陷的检出能力成为核心诉求，传统光学检测设备难以满足高精度需求；
大尺寸兼容难题：行业正从 6 寸向 8 寸、12 寸大尺寸晶圆过渡，检测设备需适配不同尺寸晶圆的高效检测，同时保证边缘与中心区域的检测一致性；
智能化与量产适配不足：人工缺陷分类效率低、误差大，传统设备缺乏 AI 赋能的自动化分类能力，难以匹配规模化量产的节拍需求；
多维度检测需求：单一光学通道无法兼顾表面缺陷与晶体缺陷的同步检测，需整合多维度光学技术实现缺陷全面提取。
华屹针对性破解 SiC 检测行业痛点，推出 Athena HS3500 SiC 衬底和外延 AOI 检测设备。该设备专为 SiC 抛光衬底片与同质外延片的高质量检测设计，融合专用多通道光学检测系统与缺陷智能分类 AI 引擎，实现从表面缺陷到晶体缺陷的全类型、高精度检出与分类，为 SiC 材料质量控制与工艺优化提供数据支撑，助力企业提升良率、降低生产成本，加速第三代半导体产业化进程。
检测项目：
·衬底：划痕、小坑、凸起、污渍、微管(MP)、层错(SF)、位错(TED、TSD、BPD)etc.
·外延：划痕、小坑、三角形缺陷、胡萝卜缺陷、直线形缺陷、彗星缺陷、掉落颗粒物、台阶聚集、位错、层错等
主要指标：
·支持SiC衬底、外延片检测
·支持6寸、8寸、12寸晶圆检测
·检测灵敏度：80nm@DF
光学方案：
·双光源协同：搭载 355nm 激光光源与 LED 光纤光源，激光光源凭借短波特性实现微小缺陷的高分辨率成像，LED 光纤光源保障大面积检测的均匀性，兼顾检测精度与效率；
·AI 智能引擎：集成 iCognitiveFlow 自主研发 AI 引擎，通过海量缺陷数据训练实现缺陷的自动识别、提取与分类，大幅降低人工干预成本，提升检测一致性；
·多通道光学系统：整合暗场（DF）、微分干涉相差（DIC）、光致发光（PL，含 NUV 近紫外、VIS 可见光波段）等多通道检测技术。DF 通道高效捕捉表面划痕、小坑等起伏缺陷；DIC 通道清晰呈现台阶聚集、晶体边界等细微结构差异；PL 通道精准识别微管、层错、位错等晶格缺陷，多通道互补实现缺陷无死角检测。
在第三代半导体产业加速突围的背景下，SiC 材料质量控制成为产业链核心竞争力的关键。华屹 Athena HS3500 SiC 衬底和外延 AOI 检测设备，以多通道光学 + AI 智能为核心，针对性解决行业缺陷检测多样性、高精度、大尺寸兼容等痛点，实现从表面到晶格、从 6 寸到 12 寸的全场景覆盖。其高灵敏度、高效率、高自动化的产品特性，不仅为 SiC 企业提供精准可靠的质量检测方案，更通过工艺数据反馈助力生产工艺持续优化，为第三代半导体规模化量产注入核心动力。
华屹将持续深耕半导体检测技术创新，以更先进的产品与服务赋能产业链上下游，携手合作伙伴共筑第三代半导体质量控制防线，推动行业高质量发展。