富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET
富士电机株式会社（东京都品川区、代表取缔役社长：北泽通宏）推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。
Super J-MOS产品照片
1．上市目的
如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
其中，MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2，可大幅度地降低损耗。
据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。
2．产品特点
・ 降低通态电阻70％注3，达到业内最高水平的低损耗。
・ 结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％注4。
3．主要规格（代表机型）
额定电压（V） 额定电流（A） 通态电阻（Ω） 封装 上市时期
600V 20A 0.19 TO-220F,TO-22O 即日
600V 30A 0.125 TO-3P,TO-247 2012年4月
600V 47A 0.07 TO-3P,TO-247 2012年4月
600V 68A 0.04 TO-247 2012年4月
4．主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。
5．询问处
富士电机株式会社 营业本部 电力电子设备统括本部 第3统括部 营业第1部
☎03-5435-7256
注1 MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管。
注2 SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构
其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区（过流层）来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。
注3、4 与本公司以往产品相比
