美国Primarion先进同步整流型场效电晶体(MOSFET)驱动器

应用
· 适用Intel® 和 AMD® 微处理器的核心电源调节
· 高电流DC-DC变换器
· 高频高效电压调节模块和降压型电压变换器(VRD)
特点
· 适用同步整流桥的双MOSFET驱动器
· 可调式闸极电压（+5V 到 +12V）实现最佳效率
· 36V 内置自举Schottky二级管
· 防过度充电自举电容
· 支持高转换频率(最高可达2MHz)
– 3 Amp灌电流容量
– 快速升/降时间、低传播时延
· 关闭输出电路的三态脉宽调制（PWM）输入端
· 适合有电源时序要求应用的三态脉宽调制（PWM）
输入磁滞
· 加电复位输出前 （Pre-POR）超压保护装置
· VCC低压保护装置
· 符合RoHS标准的无铅SOIC和DFN封装

PX3511x驱动器型号
驱动器型号 下限栅极驱动 上限栅极驱动 VCC 上升临界电压值
PX3511A +5V to +12V +12V +10V
PX3511B +5V to +12V +5V to +12V +10V
PX3511D +5V to +12V +5V to +12V +7V

说明
PX3511x 是一高频MOSFET驱动器，采用同步整流型降压变换器buck拓扑技术，专用于高低电源N-沟道MOSFET驱动。此类驱动器与PX3535或PX3538数字多相位控制器以及N-沟道MOSFET相结合，为先进的微处理器提供了全方位核心电源调节解决方案。
PX3511A 驱动上限栅极至+12V，而下限栅极可在+5V至+12V范围内独立驱动。PX3511B和PX3511D均可在+5V至+12V范围内驱动上、下限栅极。这种驱动电压具备足够的灵活性，在保持栅电荷和传导损耗平衡的情况下达到最佳运行状态。
PX3511x采用自适应性零直通保护装置，将死区时间减至最少，并防止上限和下限MOSFET的同步传导。超压保护在超出VCC开启临界电压前，相位节点与下限MOSFET（LGATE）栅极连接时可有效使用。下限MOSFET的临界电压值可限制变换器的输出电压。因此，如果上限MOSFET在初始启动时不足，这种装置就可以有效保护微处理器。
PX3511x还具有三态PWM输入特点。该驱动器与Primarion数字多相位控制器相结合，当输出端关闭时，可以有效防止输出电压的负极暂态，因而无须使用Schottky二极管保护逆向输出电压载荷。

更多内容请访问（深圳市中电华星电子技术有限公司）