产品介绍

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MP8699B是一款MOSFET驱动器，专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET或具有低栅极电压的 N 沟道 MOSFET。 该器件具有独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。

MP8699B采用自举 (BST) 技术提供 HS-FET 驱动器电压，并可在高达 100V 的电压下工作。BST充电技术将HS-FET 驱动器电压保持在 VCC 电压以下，从而防止栅极电压（VGATE）超过增强型 GaN MOSFET 的最大栅源电压（VGS） 额定值。

MP8699B 具备两个独立的栅极，通过增加栅极环路的阻抗，实现独立的 MOSFET 导通和关断速度控制。

MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。

产品特性和优势

独立的高端 (HS) 与低端 (LS) 逻辑输入

高端MOSFET（HS-FET）浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC

可调节导通与关断速度控制的独立栅极输出

4.5V 至 5.5V VCC  范围

0.2Ω 下拉电阻、1.3Ω 上拉电阻

快速传播时间（通常为 17ns）

出色的传播延迟匹配（通常为 1.5ns）

采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装