芯源MP8699B 半桥GaN MOSFET驱动器

供稿:芯源信息咨询(上海)有限公司

关键字:芯源,MOSFET驱动器,MP8699B

产品简介:
MP8699B是一款MOSFET驱动器,专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET或具有低栅极电压的 N 沟道 MOSFET。

产品介绍

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MP8699B是一款MOSFET驱动器,专用于驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET或具有低栅极电压的 N 沟道 MOSFET。 该器件具有独立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。

MP8699B采用自举 (BST) 技术提供 HS-FET 驱动器电压,并可在高达 100V 的电压下工作。BST充电技术将HS-FET 驱动器电压保持在 VCC 电压以下,从而防止栅极电压(VGATE)超过增强型 GaN MOSFET 的最大栅源电压(VGS) 额定值。

MP8699B 具备两个独立的栅极,通过增加栅极环路的阻抗,实现独立的 MOSFET 导通和关断速度控制。

MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。


产品特性和优势

独立的高端 (HS) 与低端 (LS) 逻辑输入

高端MOSFET(HS-FET)浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC

可调节导通与关断速度控制的独立栅极输出

4.5V 至 5.5V VCC  范围

0.2Ω 下拉电阻、1.3Ω 上拉电阻

快速传播时间(通常为 17ns)

出色的传播延迟匹配(通常为 1.5ns)

采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装

发布时间:2025年3月28日 15:16 人气:   工控网审核编辑:王静

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