产品介绍

产品介绍

更多详情请点击MP1916

MP1916 是一款 MOSFET 驱动器，它能够以低栅极电压驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。该器件具有独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。

MP1916 运用 MPS 特有自举 (BST) 技术提供 HS-FET 驱动电压，其最高工作电压可达 100V。BST 充电技术可防止 HS-FET 驱动电压超过电源电压 (VCC)，从而避免栅极电压 (VGATE) 超过增强型 GaN MOSFET 的最大栅源电压 (VGS) 额定值。

MP1916 具有两个独立的栅极，通过向栅极环路添加阻抗，可分别控制 MOSFET 的导通和关断速度。

MP1916 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封装。

产品特性和优势

独立上管 (HS) 和下管 (LS) 逻辑输入

上管MOSFET (HS-FET) 浮动偏置电压轨最高工作电压达 100VDC

独立栅极输出实现可调导通和关断速度控制

4.5V 至 5.5V 电源电压 (VCC) 范围

0.2Ω 下拉电阻和 1.3Ω 上拉电阻

快速传播时间（17ns典型值）

出色的传播延迟匹配（1.5ns典型值）

采用 WLCSP-12L（2mmx2mm）封装