SiC/IGBT 电源用例：储能系统 (ESS)

• 关键词：碳化硅,电源,储能
• 摘要：本用例介绍 MPQ18913 在 储能系统 (ESS)中为碳化硅 (SiC) 或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) MOSFET 提供偏置电源的应用案例。

本用例介绍 MPQ18913 在 储能系统 (ESS)中为碳化硅 (SiC) 或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) MOSFET 提供偏置电源的应用案例。

MPQ18913 隔离栅极驱动电源的 LLC 软开关拓扑和低漏电流特性可以优化储能系统中的隔离功能，提高系统效率并减小总体解决方案尺寸。

在宏大的减排目标和各项可持续发展举措的激励之下，向可再生能源的过渡进程在不断加速。建设可再生能源的基础设施对于有效整合和管理风能、太阳能、地热能和水力发电等间歇性能源非常重要。而储能系统是可再生能源基础设施的一个重要组成部分；它在低需求期间储存剩余能源，并在高需求期间分配能源。在传统设计中，变压器和光耦合器被用来实现组件之间的隔离；然而，ESS 的高电压和高能量密度常常对隔离能力带来挑战。

MPQ18913 隔离式栅极驱动电源的 LLC 软开关拓扑和低漏电流特性，能够优化储能系统中的隔离功能，从而提高系统效率并减小总体解决方案尺寸。MPQ18913 可生成 +15/-4V 或 +15/-8V 隔离电源，分别用于偏置 SiC 或 IGBT。根据变压器和匝数比进行设计，还可以实现其他输出电压(VOUT) 选项。这款隔离式栅极驱动电源将一个控制器和两个集成开关 FET 集成在单个紧凑的器件中。

此外，该器件还提供故障指示器和全面的保护功能，包括输入过压保护 (OVP)、过温保护 (OTP) 和过流保护 (OCP)。MPQ18913采用侧面镀锡的超小尺寸 QFN-10 (2mmx2.5mm) 封装。

MPQ18913还具有以下功能特性：

·高性能：

 -高达 5MHz的可配置开关频率 (fSW)

 -可降低 EMI 的频率扩展 (FSS)功能

 -支持高达 6W 的输出功率 (POUT)

 -5V 至 30V 输入电压 (VIN)

·适用于汽车环境的稳健设计：

 --40°C 至 +150°C 结温 (TJ) 范围

 -符合 AEC-Q100 等级1认证

MPS专为各种应用的动力系统电气化提供创新型的 隔离解决方案。